TPS1100DR

功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • TPS1100DR
  • 10000
  • TI
  • 16+
  • SOP
  • 全新原装现货库存 大量库存长期可供货 
  • 立即询价
  • 甄芯网

    0755-83665813

  • TPS1100DR
  • 45
  • TI
  • 07+
  • SOP-8
  • █100%现货█可开17%增票█可申请免费样品 
  • 立即询价
  • TPS1100DR
  • 3766
  • TI
  • 16+
  • SOP8
  • 全新原装现货库存价格优势,同时回收原装物料 
  • 立即询价